HAMAMATSU滨松 P16849-013CN InAsSb 光伏元件
| 受光面 | 0.7×0.7 mm |
|---|---|
| 像元数 | 2 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 最大灵敏度波长(典型值) | 4.1 μm |
| 截止波长(典型值) | 5.3 μm |
| 感光灵敏度(典型值) | 0.0045 A/W |
| 检测率 D*(典型值) | 1.0×109 cm・Hz1/2/W |
| 噪声等效功率(典型值) | 4.3×10-11 W/Hz1/2 |
| 上升时间(典型值) | 15 ns |
| 结电容(典型值) | 0.5 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C,检测率 D*:λ = λp,fc = 1200 Hz,Δf = 1 Hz |


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