HAMAMATSU滨松 S8890-30 硅 APD
详细参数
| 类型 | 近红外型 |
|---|---|
| 受光面 | φ3 mm |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-8 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 940 nm |
| 灵敏度波长范围 | 400 至 1100 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 70 A/W |
| 暗电流（最大值） | 150 nA |
| 截止频率（典型值） | 220 MHz |
| 结电容（典型值） | 8 pF |
| 击穿电压（典型值） | 500 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 3.5 V/°C |
| 增益率（典型值） | 100 |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明， 感光灵敏度：λ = 940 nm，M = 100 |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
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